TK6P65W,RQ_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:11A 参数2：VDSS:900V 参数3：RDON:712mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有11A的漏极电流能力，最大漏源电压为900V，导通电阻为712mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料构建，具备较高的击穿电压与较低的导通损耗，在高频开关条件下表现出良好的动态特性。适用于对效率、热管理和开关速度有较高要求的电源转换与功率控制场合，可有效支持紧凑型高功率密度电路设计。
