MSJU11N65A-TP_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源耐压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了可靠的开关控制与驱动兼容性。采用宽禁带半导体材料碳化硅，具备优异的高温工作性能与开关特性，适用于高功率密度、高频开关电源系统，如高效能交直流转换模块、可再生能源发电设备中的功率调节单元以及高要求的电力变换装置。
