R6504KND3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:11A 参数2：VDSS:900V 参数3：RDON:712mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为900V，连续漏极电流（ID）为11A，导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频开关特性和较低的导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统，如高频开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子装置等应用场合。
