RJK03B9DPA-00#J53-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有50A的漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为6.5毫欧，栅源电压（VGS）额定值达20V。低导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗与温升，适合用于对效率和热管理要求较高的开关电源、电机驱动及各类直流功率转换电路中，能够支持高频操作并维持良好的电气稳定性。
