STD11NM65N-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:9.3A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:410mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9.3A的连续漏极电流（ID）和410mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备高耐压能力与较低导通损耗，在高频开关条件下仍能保持良好性能，适用于对效率、热管理和空间布局有较高要求的电源转换及能量处理系统。
