NVMFS5C426NWFAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:219A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:1.2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。其低导通电阻与高电流处理能力使其适用于高效率电源管理、大电流开关电路以及对热性能要求严苛的功率转换系统，能够在高频操作下维持较低的功率损耗和温升。
