FDD6606_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，同时支持大电流持续工作。适用于高功率密度的电源模块、电池管理系统及各类对能效和热性能要求较高的电子设备中，可实现高效、可靠的开关控制功能。
