SIR846ADP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻为6.4毫欧。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，在高电流工作条件下维持较高的能效水平。适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动以及高频开关电路等应用场景，能够在紧凑布局中实现稳定可靠的电气性能。
