NVMFS6B05NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。器件在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换与开关应用场景。其低RDS(ON)特性有助于减少功率耗散，提升系统整体能效，同时支持高频开关操作，适合用于各类紧凑型、高密度的电子电路设计中。
