BSC028N06NSATMA1_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:125A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有125A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.4毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。高电流承载能力使其适用于大功率电源转换、电机驱动电路及高密度电力电子装置，在需要高效能与紧凑布局的场合中表现突出。
