SIR798DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，栅源电压额定值为20V。其极低的导通电阻显著降低导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源管理、直流-直流转换及高功率负载开关等应用。器件在高频工作条件下仍能保持良好的开关特性与热性能，适合集成于对功率密度和散热有严苛要求的紧凑型电子系统中。
