RS1E321GNTB1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为150A，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，栅源电压额定值为20V。其极低的导通电阻有助于显著减少功率损耗，适用于对效率和热管理要求较高的大电流开关应用，如电源转换、电机驱动及高密度功率模块。器件在高频工作条件下仍能保持良好的开关特性，适合需要高可靠性和稳定性能的电子系统。
