SI7860DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为6.5毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体效率，适用于高频率开关和大电流传输的场合。器件在电源转换、电机控制及各类直流开关电路中可提供稳定的性能表现，适合对能效与热管理有较高要求的应用环境。
