VDM510N090LSA_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.3毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于高频率开关电源、电机控制及大电流负载管理等场合。器件在兼顾开关速度与热稳定性的同时，可在严苛电气环境下保持可靠运行。
