DMTH6005LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:3.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流，最大漏源电压为60V，导通电阻低至3.7毫欧。其极低的RDS(ON)有效减小了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率并降低温升。适用于高电流电源转换、电机驱动以及高频开关电路等应用场合，在需要高效能与紧凑布局的设计中可提供稳定可靠的性能表现。
