DSTF20150CR-HXY_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:150V 参数3：VF:1.1V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）达150V。其正向压降（VF）典型值为1.1V，在较高耐压下仍保持合理的导通特性；反向漏电流（IR）为100μA，表现出稳定的反向阻断能力。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高可靠性电源整流、多路输出拓扑结构以及对瞬态电流耐受性要求较高的电子设备中。
