IPD65R600C6ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10.2A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:550mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。其结构利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出较低的导通损耗与良好的热稳定性。适用于高频、高效率要求的电源转换系统，可在紧凑布局中实现可靠的功率开关功能。
