IPD65R650CEATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10.2A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:550mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。其栅源电压（VGS）范围为-8V至@0V，支持负压关断以增强抗误导通能力。器件基于碳化硅材料，在高频开关条件下可显著降低开关损耗，并具备优异的高温工作特性，适用于高效率电源、光伏逆变器、储能系统及高功率密度电力电子装置中的主开关或同步整流功能。
