IPL65R650C6SATMA1-HXY_DFN5X6-8L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:410mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景，在提升系统能效与功率密度方面具有显著优势。
