SIR5108DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流和100V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为6.4毫欧。低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于高电流开关电源、电机控制、不间断电源及各类高效能电力电子转换场合。其电气特性支持快速开关动作，在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。
