FCP190N65S3R0-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至@5V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的开关性能和高温工作能力，可有效降低系统损耗。典型应用包括高压电源、DC-DC变换器、光伏逆变系统及储能装置中的高频功率拓扑，适合对能效和功率密度有较高要求的电力电子场景。
