RS6E122BGTB1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有150A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、1.4毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的应用场景，如高性能计算电源、大电流DC-DC转换器及高倍率电池管理系统。器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能与开关特性。
