IPD40N03S4L08ATMA1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至7毫欧。其低RDS(ON)特性有助于减小导通损耗，提升系统效率，在高电流开关应用中表现优异。适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及各类高效能电子设备中，能够稳定可靠地实现快速开关操作与能量转换。
