NVMFS5C670NLWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:5.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5.3mΩ，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。低导通电阻有效降低导通损耗，适合高效率、大电流的开关应用场景。器件在电源转换、电机控制及各类高功率电子设备中可实现快速开关与良好热性能，适用于对能效和稳定性要求较高的电路设计。
