IXTY4N65X2-TRL-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:8.6A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:525mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有8.6A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压，导通电阻为525mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换系统。其低导通损耗有助于提升整体能效，同时支持高频操作，简化外围电路设计。
