IXTY4N65X2_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:8.6A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:525mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备8.6A的漏极电流能力与800V的漏源耐压，导通电阻为525mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高电压应用中表现出较低的导通损耗和优异的高温稳定性，适用于高频开关电源、光伏逆变器及高效电能转换系统。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，有助于提升整体运行可靠性。
