NTTFS4943NTAG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备40A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为5毫欧。低RDS(ON)有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高效率电源转换、电池管理系统、便携式设备供电以及需要频繁开关操作的电子电路中，能够在紧凑空间内实现良好的热性能与稳定运行。
