NVMFS5C426NWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:219A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:1.2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升效率，适用于高电流、高频率的电源管理、电机控制及直流-直流转换等电路中，能够支持紧凑型设计并改善系统热性能。
