DMT10H4M5LPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持120A的连续漏极电流，最大漏源电压为100V，导通电阻仅为3.6毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效，适用于高电流、高效率要求的电源管理、电机控制及高频开关电路等应用。其电气特性适合在紧凑型设计中实现良好的热性能与稳定运行。
