MBR680FCT_T0_00001_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）低至0.85V，有助于降低导通损耗，反向漏电流（IR）典型值为100μA。器件具备较强的瞬态耐受能力，最大非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达175A。适用于高频整流、多路输出电源及对效率要求较高的电力转换场合。
