IXTP12N65X2_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:306mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为306mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合对体积和能效有较高要求的应用场合。
