IPP65R045C7XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:105A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备105A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和开关性能，在高频、高效率电力转换系统中表现突出。其低导通损耗和快速开关特性适用于对能效和体积有较高要求的电源管理场景，可有效提升系统整体效率与响应速度。
