IXSA110N65L2-7TR-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:73A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中显著降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频电力转换设备等场景，可在高电压、大电流条件下维持稳定运行。
