IMBG65R020M2HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:73A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，具备73A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件凭借碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对功率密度和能效要求较高的电源系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。
