NTHL033N65S3HF-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源驱动电压范围（VGS）为-10V至@5V。其结构利用碳化硅材料特性，支持高频开关操作并降低导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对热性能和能效要求较高的电力电子应用。
