G3F45MT06J-TR-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:36mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为36mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关与导通损耗，适用于高效率、高功率密度的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能转换设备。其负栅压耐受能力有助于提升关断可靠性，减少误触发风险。
