IPZA65R035CFD7AXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，漏极电流ID可达99A，最大漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频与高温工作能力，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效表现，在各类高可靠性电子设备中可实现紧凑且高效的功率管理方案。
