DF2B5M5CT,L3F_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.3pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款静电和浪涌保护器件为双向类型，单通道。工作电压3.3V，可承受4A电流。结电容典型值为0.3pF，对电路影响极小。适用于多种电子产品，能有效双向防护静电和浪涌干扰，保障设备稳定运行，提升设备安全性。
