ESDBM3V3A1_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:9A 参数2：电压VRWM:3.3V 参数3：CJ:15pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件为TVS/ESD类型，具有9A的峰值脉冲电流（IPP）处理能力和3.3V的最大工作电压（VRWM），适用于需要双向保护的应用场景。其电容值（CJ）为15pF，表明它对信号完整性影响较小，适合高速数据传输线路的保护。此元件设计用于单线（LINE:1）配置，能够为敏感电子设备提供有效的瞬态电压抑制，防止因过电压或静电放电造成的损坏。
