PESD5V0U1BL-N_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:2.5A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:2.5pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计，适用于对瞬态电压抑制有严格要求的场合。其IPP/A（峰值脉冲电流）为2.5A，能够有效应对突发的高能冲击；VRWM/V（工作电压）设定为5V，确保在正常工作状态下稳定运行；CJ/pF（结电容）仅为2.5pF，表明它具有低寄生电容特性，适合于高速数据线路的保护。单线结构使其易于集成到各种电子设备中，提供可靠的过压防护。
