EBL0501T_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.6pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件采用单向设计，专为高精度信号线路防护而优化。其工作电压VRWM为5V，反向脉冲电流IPP可达4A，确保在瞬态过压事件中提供可靠保护。器件内部结电容CJ低至0.6pF，适用于高速数据传输场景，对信号完整性影响极小。单通道结构简化了PCB布局，便于集成于空间受限的设计中。广泛应用于便携式电子设备、通信模块及精密仪器的接口保护，如USB、HDMI及RF天线线路等场合。
