DESD3V3Z1BCSFQ-7-HXY_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.55pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件，设计为TVS/ESD保护二极管，具备4安培的峰值脉冲电流承载能力IPP，确保在遭遇瞬时高电流冲击时仍能稳定工作。其反向工作电压VRWM设定为3.3伏特，适用于低电压环境下的信号线保护。电容CJ仅为0.55皮法，有助于保持信号完整性，特别适合高速数据线路。采用单通道1 LINE设计，简化了电路布局。Bi双向类型允许其在正反两个方向上提供一致的保护效能，适用于对称性信号路径。此元件是保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态过压事件影响的理想选择。
