D8V0L1B2LPQ-7B-HXY_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:6A 参数2：电压VRWM:8V 参数3：CJ:10pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）设计用于提供精确的过电压保护，具有6A的峰值脉冲电流IPP，能在瞬时高电流事件中维持电路安全。其工作电压VRWM为8V，确保在正常操作条件下不会触发保护机制。元件拥有极低的10皮法（pF）电容CJ，几乎不对信号造成延迟或失真，非常适合高速数据线的应用。作为单通道双向TYPE保护器，它可以在两个方向上有效地抑制瞬态过电压，适用于各类电子设备中的敏感接口，保障设备免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响。
