HESD11B5.0ST5G_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：电流Ipp:9A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:15pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护元件（TVS/ESD）旨在为电子设备提供可靠保护，防止因静电放电和瞬时电压波动造成的损害。其最大峰值脉冲电流（IPP）可达9A，工作电压（VRWM）为5V，适用于低电压环境下的应用。该元件配备15皮法（pF）的低结电容（CJ），有助于最小化对高频信号的干扰，保持信号的高质量传输。单通道（LINE:1通道）设计结合双向（Bi双向）保护特性，能够有效抵御正反两个方向的过电压威胁，确保连接电路的安全与稳定。其紧凑且高效的特性，使之成为众多电子设备中不可或缺的保护组件。
