HEBL0501T_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:0.6pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为单向TVS/ESD保护器件，专为高精度电子系统设计。其反向截止电压（VRWM）为5V，适用于低压信号线路的瞬态过压防护。最大峰值脉冲电流（IPP）可达4A，能够有效吸收静电放电及浪涌能量，保障后级电路安全。器件结电容（CJ）低至0.6pF，对信号完整性影响极小，适合高速数据接口应用。单通道（LINE:1通道）设计结构紧凑，便于布局与集成，广泛用于便携设备、通信模块等场景中的电路保护。
