VESD08C1-HD1-G3-08-HXY_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:6A 参数2：电压VRWM:8V 参数3：CJ:45pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD保护类别，具有6安培的峰值脉冲电流（IPP）承载能力，能够在遇到瞬时大电流时迅速响应，为电路提供稳固保护。其反向工作电压（VRWM）为8伏特，适用于需要在该电压水平下保持稳定运行的设备。器件电容值（CJ）为45皮法，对信号完整性影响极小，确保高速数据传输的可靠性。采用单通道设计，并且是单向（Uni-directional）类型，意味着它主要在一个方向上提供保护，适合应用于需要定向保护、防止静电放电和瞬态过压损害的电子线路中。
