VBUS03N1-DD1-G3-08-HXY_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.3pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款静电和浪涌保护器件属于TVS/ESD类别，采用Bi双向设计，提供单通道保护。它拥有4A的IPP峰值脉冲电流承受能力，适用于应对突发的电压浪涌。其工作电压（VRWM）为3.3V，确保在常规操作电压下保持断开状态，同时能在异常电压出现时迅速响应。该器件的电容值（CJ）仅为0.3pF，对信号的影响几乎可以忽略不计，非常适合高速数据传输或精密电子装置中的应用。它能够有效地保护电路免受静电放电和其他瞬态过电压事件的影响，保障设备的稳定运行与数据传输的安全性。
