VESD12C1-HD1-G3-08-HXY_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:4A 参数2：电压VRWM:12V 参数3：CJ:28pF 参数4：类型:Uni单向 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款静电和浪涌保护器件，属于TVS/ESD保护类别，具有4A的峰值脉冲电流IPP承载能力，能在瞬间过压事件中提供有效防护。其反向工作电压VRWM为12V，确保在正常操作电压下保持非导通状态，同时避免了不必要的触发。电容CJ为28皮法，适用于对电容敏感度较低的应用场景，能够在不影响信号质量的情况下提供保护。采用单通道LINE设计，并且是Uni单向类型，使得它特别适合用于需要单向保护的接口线路，如消费电子产品中的数据传输线或通信端口，确保设备在面对静电放电和其他瞬态电压时的安全与稳定。
