HBDFN2C051V_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:9A 参数2：电压VRWM:5V 参数3：CJ:10pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）设计用于提供精准的过电压保护，具有9安培的峰值脉冲电流IPP承载能力，以及5伏特的工作电压VRWM，确保在各种环境下的稳定性能。其极低的10皮法CJ电容值，使得该元件非常适合应用于对信号完整性要求高的高速线路中。作为单通道双向TYPE Bi设备，它能够有效抑制正反两个方向上的瞬态过电压，保护敏感电路免受静电放电（ESD）和其他瞬态事件的影响，适用于诸如消费电子产品的数据接口等需要精细保护的应用场景。
