HESD9B3.3ST5G_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：电流Ipp:7A 参数2：电压VRWM:3.3V 参数3：CJ:10pF 参数4：类型:Bi双向 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）具备7A的峰值脉冲电流IPP承载能力，能够在瞬态电压出现时迅速响应并保护电路。其工作电压VRWM为3.3V，适用于低电压应用环境中的过压保护需求。该元件拥有10pF的极小电容CJ，确保对信号的影响降到最低，非常适合用于高速数据传输线路的保护。采用单通道LINE设计，结合Bi双向TYPE特性，它可以在两个方向上提供一致的保护效能，有效箝位瞬态过电压，保障连接设备的安全与稳定运行。此元件结构紧凑，易于集成到各类电子装置中，为敏感电路提供可靠防护。
